解析HBM技术原理及优势

HBM4将是未来市场上最先进的存储器。

HBM技术是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，它可以为高性能计算、人工智能、数据中心等领域提供高带宽、高容量、低延迟和低功耗的存储解决方案。本文将介绍HBM技术的原理、优势、应用和发展趋势。

01. HBM技术原理： 3D堆叠实现高密度存储

HBM技术是一种将多层DRAM芯片通过硅通孔（TSV）和微型凸点（uBump）连接在一起，形成一个存储堆栈（stack），然后将多个堆栈与逻辑芯片（如GPU或CPU）通过硅中介层（interposer）封装在一起的技术。HBM技术的原理示意图如下：

HBM技术的核心优势是通过3D堆叠实现了高密度存储，从而大幅提升了每个存储堆栈的容量和位宽。例如，第一代HBM（HBM1）可以将四层8Gb（吉比特）的DRAM芯片堆叠在一起，形成一个32Gb（吉比特）的存储堆栈，每个堆栈有1024位的接口，最多可以支持四个堆栈，从而实现128Gb（吉比特）的总容量和4096位的总位宽。

相比之下，传统的DDR4内存只有64位的接口，每个芯片最大容量为16Gb（吉比特），最多只能支持两个芯片，从而实现32Gb（吉比特）的总容量和128位的总位宽。

02. HBM技术优势： 高带宽、低延迟、低功耗

HBM技术通过3D堆叠实现了高密度存储，从而带来了三大优势：高带宽、低延迟和低功耗。

高带宽：HBM技术通过增加存储堆栈的数量和位宽，以及提升数据传输速率，实现了超高的带宽。例如，第三代HBM（HBM3）可以支持八个存储堆栈，每个堆栈有2048位的接口，数据传输速率可达9.6Gbps（吉比特每秒），从而实现1.2TB/s（太字节每秒）的总带宽。相比之下，传统的DDR4内存最多只能支持64GB/s（吉字节每秒）的总带宽。

低延迟：HBM技术通过缩短存储器和逻辑芯片之间的距离，以及采用并行访问模式，实现了低延迟。例如，第三代HBM（HBM3）可以将存储器和逻辑芯片之间的距离缩短到约100微米（微米），并且可以同时访问16个独立通道，从而降低了访问延迟。相比之下，传统的DDR4内存需要通过长达数厘米（厘米）的电路板连接存储器和逻辑芯片，并且只能顺序访问一个通道，从而增加了访问延迟。

低功耗：HBM技术通过降低工作电压，以及减少信号线的数量和长度，实现了低功耗。例如，第三代HBM（HBM3）可以将工作电压降低到0.7伏（伏特），并且只需要约5000根信号线，从而降低了功耗4。相比之下，传统的DDR4内存需要1.2伏（伏特）的工作电压，并且需要约20000根信号线，从而增加了功耗。

综上所述，HBM技术通过3D堆叠实现了高密度存储，从而带来了高带宽、低延迟和低功耗的优势，这些优势使得HBM技术非常适合高性能计算、人工智能、数据中心等领域的应用。

03. HBM技术应用： 助力高性能计算、人工智能、数据中心

HBM技术由于具备高带宽、低延迟和低功耗的优势，因此被广泛应用于高性能计算、人工智能、数据中心等领域，为这些领域提供了强大的存储支持。

高性能计算：高性能计算是指使用大规模并行处理的超级计算机或集群系统来解决复杂的科学和工程问题。高性能计算对存储器的要求非常高，需要大容量、高带宽和低延迟的存储器来支持大量的数据处理和传输。HBM技术正好满足了这些要求，因此被广泛应用于高性能计算领域。例如，英伟达（NVIDIA）的 H100 / H800 和 AMD 的 MI300 系列 AI 加速卡均采用 HBM3 技术，为高性能计算提供了强大的存储支持。

人工智能：人工智能是指使用计算机系统模拟人类智能的科学和技术。人工智能对存储器的要求也非常高，需要高带宽和低延迟的存储器来支持大规模的神经网络训练和推理。HBM技术也正好满足了这些要求，因此被广泛应用于人工智能领域。例如，谷歌（Google）的 TPU v4 和 TPU v5 系列 AI 芯片均采用 HBM2E 技术，为人工智能提供了强大的存储支持。

数据中心：数据中心是指集中存储、处理和传输大量数据的设施。数据中心对存储器的要求也非常高，需要高容量、高带宽和低功耗的存储器来支持海量的数据服务。HBM技术也正好满足了这些要求，因此被广泛应用于数据中心领域。例如，英特尔（Intel）的 Sapphire Rapids 和 Granite Rapids 系列服务器处理器均采用 HBM2E 技术，为数据中心提供了强大的存储支持。

综上所述，HBM技术由于具备高带宽、低延迟和低功耗的优势，因此被广泛应用于高性能计算、人工智能、数据中心等领域，为这些领域提供了强大的存储支持。

04. HBM技术发展趋势： 存储巨头竞相推出下一代HBM

HBM技术由于具备高带宽、低延迟和低功耗的优势，因此受到了存储巨头的高度重视，目前已经有多家存储巨头正在计划推出下一代HBM，以进一步提升HBM技术的性能和市场竞争力。

SK 海力士（SK Hynix）：SK 海力士是韩国最大的存储芯片制造商，也是全球第二大的DRAM供应商。SK 海力士在2023年3月宣布，已经开始量产第三代HBM（HBM3），并且已经向英伟达（NVIDIA）和AMD等客户提供了样品。SK 海力士的HBM3可以支持8个存储堆栈，每个堆栈有2048位的接口，数据传输速率可达9.6Gbps（吉比特每秒），从而实现1.2TB/s（太字节每秒）的总带宽。SK 海力士表示，HBM3是目前市场上最高性能的存储器，可以满足高性能计算、人工智能、数据中心等领域的需求。

三星（Samsung）：三星是全球最大的存储芯片制造商，也是全球第一大的DRAM供应商。三星在2023年4月宣布，已经开始量产第二代高性能HBM（HBM2E），并且已经向谷歌（Google）和英特尔（Intel）等客户提供了样品。三星的HBM2E可以支持8个存储堆栈，每个堆栈有1024位的接口，数据传输速率可达4.8Gbps（吉比特每秒），从而实现614.4GB/s（吉字节每秒）的总带宽。三星表示，HBM2E是目前市场上最高容量的存储器，可以满足海量数据处理和存储的需求。

美光（Micron）：美光是全球第三大的存储芯片制造商，也是全球第四大的DRAM供应商。美光在2023年5月宣布，已经开始研发第四代HBM（HBM4），并且计划在2024年下半年开始量产。美光的HBM4可以支持16个存储堆栈，每个堆栈有4096位的接口，数据传输速率可达12Gbps（吉比特每秒），从而实现3TB/s（太字节每秒）的总带宽。美光表示，HBM4将是未来市场上最先进的存储器，可以满足超高性能计算、人工智能、数据中心等领域的需求。

综上所述，HBM技术由于具备高带宽、低延迟和低功耗的优势，因此受到了存储巨头的高度重视，目前已经有多家存储巨头正在计划推出下一代HBM，以进一步提升HBM技术的性能和市场竞争力。据集邦咨询预测，2023年HBM需求将同比增长58%，2024年可能进一步增长约30%，未来这个市场规模将达到数十亿美元。HBM技术无疑将成为高性能计算的新引擎，引领存储技术的新变革。