News Detail

尺寸最小+功耗最低,三星即将宣布MRAM重要突破

新型存储之MRAM资讯

12
Issuing time:2022-11-02 15:01Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/

据外媒报道,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。

会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。

该团队采用三星28nm嵌入式MRAM,并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。

论文中提到,该团队生产了一个独立的存储器,其写入能量要求为每比特25pJ,读取的有效功率要求为14mW,写入的有效功率要求为27mW,数据速率为每秒54Mbyte。

为了实现这一性能,研究团队将磁性隧道结缩小到三星的14nm FinFET逻辑平台,与上一代28nm节点的MRAM相比,面积增加了33%,读取时间加快了2.6倍。

该研究的目标之一是证明嵌入式MRAM作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用,例如边缘AI。


Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel: +86-0755-84866816  
Tel: +86-0755-84828852
Mail:  kevin@glochip.com
Web:  www.chip.com.hk
Rm401.1st Building, Dayun software Longgang Avenue, Longgang district,Shenzhen
全球芯微信公众号
Samsung Micron SKhynix Kingston Sandisk  Kioxia Nanya Winbond MXIC ESMT Longsys Biwin HosgingGlobal  BoyaMicro  Piecemakers Rayson  Skyhigh  Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP SSD Module