MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。01 三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利*，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十...

拉曼光谱仪，红外光谱仪，光纤光谱仪等检测设备，现有产品SRAM以ISSI 16Mb异步快速为主；推荐了NETSOL 最新新型存储MRAM产品，Parallel STT-MRAM 系列Netsol的 Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。 适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可...

      为了实现这些关键功能，助听器利用声音处理器来解释多个音频频率和级别。由助听器麦克风捕捉到的声音波被发送到处理器，将信号转换为数字信息，然后增强并放大给佩戴者。为了实现最佳听觉效果，处理器根据不同的用户情境或环境决定要增强或减弱哪些音频频率。此外，为了使处理器能够解释的声音必须以对耳朵来说无法察觉的声音延迟重新传输。    对于听觉和通信助听器中的多个程序的操作，非易失性存储器所...

STT-MRAM已成为最受关注的新一代存储半导体技术之一。该产品使用了可通过Spin-Torque传递转换的两种稳定的磁化状态(Magnetic State)，使处理速度非常快，耐久性也非常出色。MRAM利用磁性来维持数据，因此即使不提供额外的电力，数据也能维持，电力消耗较少，器件的尺寸也非常小，因此可以制造出比现在更高密度的半导体。另外，由于只改变物质磁性的方向，半导体的耐久性好，储存和读...

智能电表通过多种有线和无线网络传输电表数据，使电力公司能够准确地实时监控电力使用情况。电力公司通过这样的实时数据，监控使用量，检测异常情况，从而提高效率并降低成本。由于智能电表需要连续记录数据，因此需要高耐用性的内存。此外，随着OTA（Over The Air：通过无线通信进行S/W升级）功能的加入，内存的快速写入速度变得更加重要。MRAM是最理想的存储器，能够同时满足智能电表对高耐久性和快...

# MRAM 晶圆Netsol的KGD 内存产品具有与单独产品相同的质量及性能特征。两种类型的产品皆在使用相同的生产和测试程序进行严格验证后获得认证。* 所有 SPIMRAM和PPIMRAM产品都以KGD选项交付。* 专门技术支持团队支持KGD客户的特定需求

RAID（Redundant Array of Inexpensive Disks）是一种结合了两个或多个物理存储设备（HDD、SSD）的数据存储结构，它在被连接的系统中，被转换成识别为单个驱动器的逻辑单元（阵列）。 RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。MRAM中存储的主要是系统元数...

Netsol的KGD 内存产品具有与单独产品相同的质量及性能特征。两种类型的产品皆在使用相同的生产和测试程序进行严格验证后获得认证。* 所有 SPIMRAM和PPIMRAM产品都以KGD选项交付。* 专门技术支持团队支持KGD客户的特定需求

物联网 (IoT) 将众多智能设备利用互联网协议技术连接起来，使它们能够相互通信。MRAM持久性，结合极低的能耗模式，使物联网节点的代码和数据能够在极小的形状因素下从能源收割机或电池源操作。启动时间通常是物联网节点的一个重要考虑因素。MRAM利用原地算法（code-in-place）结构可减少所需的启动时间，由于对DRAM或SRAM的需求更少，所以减少了总体材料清单成本。从物联网的应用程序来...

弹珠机和老虎机等游戏机通常使用电池供电的SRAM来存储运行时处理数据、机器状态、配置数据和重要数据（赔率、乘数、游戏单词的比赛记录）。这些数据即使在突然停电时，也必须安全存储。MRAM作为非易失性安全存储，用于游戏机的电源冲击和ESD耐受。# MRAM 晶圆Netsol的KGD 内存产品具有与单独产品相同的质量及性能特征。两种类型的产品皆在使用相同的生产和测试程序进行严格验证后获得认证。* ...

汽车通信与连接性：MRAM的快速响应与稳定性MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，最为理想。MRAM的主要优势如下· 近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）·长期数据保存（10 年）·快速写入时间·高可靠性·高放射线耐性# Serial STT-MRAM  串口容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb 电源供应 ：...

品牌的磁性随机访问存储器（MRAM）与其他存储技术相比具有许多独特的特点和优势。以下是MRAM与其他存储技术（如闪存、DRAM、NVRAM等）进行比较的一些方面：∎ 更快的写入速度：MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的写入速度。MRAM芯片可以实现单个字节的写入，而FRAM芯片则需要写入整个数据块。这使得MRAM芯片在存储大量数据时更加高效。更低的功耗：MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功...

MRAM是一种新型非易失存储器，采用电子的自旋属性表征数据信息的存储及传输，具备高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区和抗辐照等优势，被广泛认为是下一代非易失存储芯片的理想选择。MRAM具能够将存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。在汽车应用上面，Netslo MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本，保护有价值的数据并降低成本MRA...

Flash Memory Summit 2024Event Duration: Event duration Tuesday, Aug, 6, 2024 - Thursday, Aug, 8, 2024Where: Where San Francisco, California, United StatesThe memory industry's leading event, Flash ...

SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM) has the potential to challenge STT-MRAM, as it is a faster, denser and much more efficient memory technology.SOT-MRAM devices feature switching of the free magneti...

STT-MRAMSTT-MRAM (also called STT-RAM or sometimes ST-MRAM and ST-RAM) is an advanced type of MRAM devices. STT-MRAM enables higher densities, low power consumption and reduced cost compared to reg...

MRAM (Magnetic RAM) is a memory technology that uses electron spin to store information (an MRAM device is a Spintronics device). MRAM has the potential to become a universal memory - able to combi...

三星晶圆代工论坛（SFF）2023 于 10 月 17 日在日本东京和 10 月 19 日在德国慕尼黑举行。SFF 是三星晶圆代工最大的年度盛会，三星在此与全球合作伙伴和客户分享其最新技术、业务战略和愿景。 　　三星的 eMRAM 和 MRAM 目前都是下一代内存创新的核心，也是慕尼黑和东京 SFF 上重点展示的几项技术。自 2019 年 3 月基于 28 纳米（nm）全耗尽绝缘体硅（FD-...

NETSOL串行MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序，因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。它比并行接口需要更少的引脚数，并且易于在系统上配置。该产品的密度范围从1Mbit到...

STT-MRAM是一种先进的磁阻，它利用电子自旋的磁性在半导体中提供非易失性。MRAM代表磁阻随机存取存储器，是一种使用磁状态而不是DRAM等设备使用的电荷来存储数据位的方法。STT-MRAM由三星电子公司的代工厂制造，得益于三星代工厂的28纳米FD-SOI工艺，Netsol MRAM拥有低功耗和更紧凑的尺寸。大规模生产STT-MRAM，在从物联网到医疗和汽车的广泛行业提供替代品。Netso...